2018年12月12日，香港大学颜庆云（Alfonso Hing Wan Ngan）教授应邀来我院九里行政楼240力学学术报告厅做学术讲座，讲座题目为：Density-based dislocation dynamics。力学与工程学院院长康国政教授，蔡立勋教授、李翔宇教授、阚前华教授、张娟副教授、苗鸿臣副教授、袁江宏副教授、刘金玲副教授等教师，以及力学与工程学院研究生参加了此次学术报告。
学术讲座由康国政教授主持。首先，颜庆云教授简要介绍了百年香港大学的历史、自己的研究历程和研究领域。接下来颜庆云教授基于尺度研究概括了从分子动力学到晶体塑性，再到塑性有限单元模拟。目前工业界的有效方法是采用连续介质力学建立的本构模型，植入到有限元中进行工程模拟。但随着工程问题的增加，对科学家的要求逐渐提高，对微观机理分析的需求越来越凸显。科学家们开始加大了对位错理论、晶体塑性以及分子动力学等微观方法的研究。但要将微观研究方法与有限元相结合是当前研究的难题。而许多科学家认为从微观机理运用到宏观有限元的关键是对于介观尺度位错密度的求解。基于位错密度的方法是前进的方向，但迄今为止发表的大多数方案在考虑几何必需位错(GND)时给予较重的权重，而统计存储的位错(SSD)要么被忽略，要么被临时处理。目前计算位错密度的有两种可能的表述方法，一种是基于GND表述矢量场的位错密度，在一个三维空间内，位错密度是具有大小和方向；另一种基于全场方法表述标量场的全位错密度，用于描述全部位错以及它们之间的相互作用。颜庆云教授提出了一个新的简单的基于全位错表述的位错密度计算公式，在不区分GND和SSD的情况下，通过对系统中所有离散位错线的单个密度矢量场进行粗粒度化，导出了位错密度的动态演化规律。三维空间位错间的弹性相互作用完全按照Mura的本征应力公式处理，位错产生被认为是位错维持其连通性的结果，为此设计了一种特殊的方案。讲座讲完后我院师生与颜庆云教授展开了深入的讨论，并期待能够在以后的工作中有更多的交流，颜庆云教授在回答为什么提出如此巧妙且简单的方程时，调侃地说道，这个公式是在晚上做梦的时候想出来的。说明不管多牛的教授，对科研都有千辛的付出与万分的热爱。整个学术讲座在热烈的掌声中完满结束。
颜庆云教授简介：
颜庆云，香港大学首席教授、材料科学与工程系首席教授，机械工程系主任。1989年获香港大学学士学位，1992年获英国伯明翰大学博士学位。在牛津大学接受一年的博士后培训后，他于1993年加入香港大学，并于2011年晋升为首席教授。
颜庆云教授是工程材料性能的微观结构基础，特别是晶体缺陷及其建模，以及纳米力学（包括应用于生物系统）的领导权威。他的研究方包括Small-scale plasticity，Bio-nanomechanics，Chemo-mechanics for actuating materials，additive manufacturing等。他出版了200多篇ISI论文，并合著了两本书。他的主要贡献包括修正软材料纳米压痕测量中的粘弹性效应的一种方法，即“Feng-Ngan equation”。该方法已经被同行的研究者在他们的工作中使用，在ISI的100多个出版物中所报道的。他于2008获伯明翰大学颁发的高等博士学位（DSc），2009年获伯明翰大学克劳彻高级研究奖学金，2014当选香港工程科学院院士。
